Вопрос школьника
Существенное уменьшение сопротивления полупроводников при нагревании объясняется:
А) увеличением числа свободных носителей;
Б) увеличением скорости дрейфа свободных носителей заряда
Ответ от учителя
Существенное уменьшение сопротивления полупроводников при нагревании объясняется увеличением числа свободных носителей.
При нагревании полупроводника температура его кристаллической решетки увеличивается, что приводит к возрастанию энергии теплового движения электронов и дырок. Это, в свою очередь, способствует увеличению числа свободных носителей заряда в полупроводнике.
Свободные носители заряда — это электроны и дырки, которые могут свободно перемещаться внутри полупроводника и участвовать в электрических процессах. При увеличении числа свободных носителей заряда сопротивление полупроводника уменьшается, так как увеличивается вероятность прохождения электрического тока через полупроводник.
Увеличение скорости дрейфа свободных носителей заряда также может влиять на сопротивление полупроводника, но это явление не является основным при объяснении уменьшения сопротивления при нагревании. Скорость дрейфа свободных носителей заряда зависит от электрического поля в полупроводнике и времени релаксации носителей. При нагревании полупроводника время релаксации носителей уменьшается, что может привести к увеличению скорости дрейфа, но это явление не является основным при объяснении уменьшения сопротивления.
