Каким должно быть удельное содержание примеси алюминия в кремнии (по массе в %), чтобы концентрация дырок в нем равнялась 5,0⋅1016 см-3?

image_printРаспечатать ответ

Вопрос школьника

Каким должно быть удельное содержание примеси алюминия в кремнии (по массе в %), чтобы концентрация дырок в нем равнялась 5,0⋅1016 см-3? Примите, что каждый атом алюминия участвует в образовании дырки

Ответ от учителя

Для ответа на данный вопрос необходимо знать, как примеси влияют на концентрацию дырок в полупроводнике. Примеси могут быть донорными или акцепторными, в зависимости от того, какие электроны они могут отдавать или принимать. Алюминий является акцепторной примесью, то есть он может принимать электроны и образовывать дырки.

Концентрация дырок в полупроводнике зависит от концентрации акцепторных примесей. Чем больше акцепторных примесей, тем больше дырок будет образовываться. Существует формула, которая позволяет вычислить концентрацию дырок в зависимости от концентрации акцепторных примесей:

p = N_A exp(-E_A/kT)

где p — концентрация дырок, N_A — концентрация акцепторных примесей, E_A — энергия акцепторного уровня, k — постоянная Больцмана, T — температура.

Из этой формулы можно выразить концентрацию акцепторных примесей:

N_A = p / exp(-E_A/kT)

Для того чтобы концентрация дырок в кремнии была равна 5,0⋅1016 см-3, необходимо подставить это значение в формулу и вычислить концентрацию акцепторных примесей:

N_A = 5,0⋅1016 / exp(-E_A/kT)

Теперь нужно узнать, какая концентрация алюминия будет соответствовать этой концентрации акцепторных примесей. Для этого нужно знать, какой процент алюминия будет составлять от общей массы кремния. Допустим, что это будет x%. Тогда концентрация алюминия будет равна:

N_Al = x/100 * N_Si

где N_Si — концентрация кремния.

Теперь можно связать концентрацию алюминия с концентрацией акцепторных примесей:

N_A = N_Al

5,0⋅1016 / exp(-E_A/kT) = x/100 * N_Si

x/100 = 5,0⋅1016 / (N_Si * exp(-E_A/kT))

x = 100 * 5,0⋅1016 / (N_Si * exp(-E_A/kT))

Таким образом, удельное содержание примеси алюминия в кремнии должно быть равно:

x = 100 * 5,0⋅1016 / (N_Si * exp(-E_A/kT))

где N_Si — концентрация кремния, E_A — энергия акцепторного уровня, k — постоянная Больцмана, T — температура.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *